# Renesas تطلق شريحة GaN بجهد 650 فولت لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي

> قدّمت Renesas جهاز GaN بتبريد مزدوج الجوانب، بقياس 8×8 مم ومصنّف لجهد 650 فولت، يستهدف تحويل الطاقة لخوادم الذكاء الاصطناعي بقدرة ميغاواطية.

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/ar/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

أُعدّ وتُرجم بمساعدة الذكاء الاصطناعي. راجع المصادر الأصلية أدناه.

أعلنت Renesas عن شريحة طاقة جديدة لمراكز بيانات الذكاء الاصطناعي. وهي جهاز من نيتريد الغاليوم (GaN) قادر على التعامل مع جهد 650 فولت، ويستخدم تبريدًا على جانبي العبوة التي يبلغ قياسها 8×8 مم. صُمّم الجهاز لتحويل الطاقة بكثافة عالية ضمن بنيات خوادم الذكاء الاصطناعي ذات جهد 800 فولت. وتقول الشركة إن الشريحة تستهدف أحمال عمل الذكاء الاصطناعي بقدرة ميغاواطية.

## الحقائق

- تصنيف بجهد 650 فولت، وعبوة بقياس 8×8 مم مع تبريد مزدوج الجوانب
- تاريخ الإعلان: 2026-09-30

## لماذا يهم

يمكن لشرائح GaN ذات الجهد الأعلى أن تجعل مزوّدات الطاقة في مراكز بيانات الذكاء الاصطناعي أصغر حجمًا وأكثر كفاءة.

## المصادر والمراجع

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

آخر تحديث: 2026-09-30