# Renesas bringt 650-V-GaN-Chip für KI-Rechenzentren auf den Markt

> Renesas hat ein beidseitig gekühltes 8 × 8 mm großes GaN-Bauteil mit einer Nennspannung von 650 V vorgestellt. Es ist für die Stromwandlung in KI-Servern im Megawattbereich ausgelegt.

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/de/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

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Renesas hat einen neuen Leistungschip für KI-Rechenzentren angekündigt. Das Galliumnitrid-Bauteil (GaN) ist für 650 V ausgelegt und wird in einem 8 × 8 mm großen Gehäuse von beiden Seiten gekühlt. Das Design ist für eine kompakte Stromwandlung in 800-V-Architekturen für KI-Server vorgesehen. Laut Unternehmen zielt der Chip auf KI-Workloads im Megawattbereich ab.

## Die Fakten

- Nennspannung von 650 V, beidseitig gekühltes Gehäuse mit 8 × 8 mm
- Ankündigungsdatum: 30.09.2026

## Warum es wichtig ist

GaN-Chips für höhere Spannungen können die Netzteile von KI-Rechenzentren kleiner und effizienter machen.

## Quellen und Referenzen

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

Zuletzt aktualisiert: 2026-09-30