# Everspin presenta la primera MRAM conectada por CXL

> El fabricante de memoria mostró un nuevo módulo MRAM conectado mediante Compute Express Link, que añade un nivel rápido y persistente entre DRAM y NAND.

Oossa · 2026-09-29 · https://oossa.com/es/everspin-shows-first-cxl-connected-mram-at-snia-2026-conference

Everspin Technologies presentó la primera memoria MRAM del mundo que se comunica con un sistema mediante Compute Express Link (CXL) en la SNIA Developer Conference, en septiembre de 2026. La MRAM conectada por CXL se sitúa entre la DRAM y la memoria flash NAND, y ofrece a los procesadores y aceleradores de IA un acceso más rápido a los datos. La demostración mostró una menor latencia y menos tiempo de inactividad de las CPU durante las cargas de trabajo de IA.

## Los hechos

- La demostración tuvo lugar en la SNIA Developer Conference 2026, el 29 de septiembre de 2026
- El enlace CXL añade un nivel de memoria persistente entre la DRAM y la NAND

## Por qué importa

Una capa de memoria persistente más rápida puede mantener ocupados durante más tiempo los chips de IA y mejorar el rendimiento general y el consumo energético.

## Fuentes y referencias

1. [Everspin Demonstrates World’s First CXL-Connected MRAM at SNIA Developer Conference 2026](http://www.businesswire.com/news/home/20260929225389/en/Everspin-Demonstrates-World%E2%80%99s-First-CXL-Connected-MRAM-at-SNIA-Developer-Conference-2026/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-29

Última actualización: 2026-09-29