# Renesas lanza un chip GaN de 650 V para centros de datos de IA

> Renesas presentó un dispositivo GaN de 8 × 8 mm con refrigeración por ambas caras y una tensión nominal de 650 V, dirigido a la conversión de energía para servidores de IA a escala de megavatios.

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/es/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

Creado y traducido con ayuda de IA. Consulta las fuentes originales abajo.

Renesas anunció un nuevo chip de potencia para centros de datos de IA. Es un dispositivo de nitruro de galio (GaN) capaz de soportar 650 V y con refrigeración por ambas caras en un encapsulado de 8 mm × 8 mm. El diseño está pensado para la conversión de energía de alta densidad en arquitecturas de servidores de IA de 800 V. La empresa afirma que el chip está destinado a cargas de trabajo de IA a escala de megavatios.

## Los hechos

- Tensión nominal de 650 V; encapsulado de 8 mm × 8 mm con refrigeración por ambas caras
- Fecha del anuncio: 2026-09-30

## Por qué importa

Los chips GaN de mayor tensión pueden hacer que las fuentes de alimentación de los centros de datos de IA sean más pequeñas y eficientes.

## Fuentes y referencias

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

Última actualización: 2026-09-30