# Renesas تراشه GaN با ولتاژ ۶۵۰ ولت برای مراکز داده هوش مصنوعی معرفی کرد

> Renesas از یک قطعه GaN با خنک‌کاری دوطرفه و ابعاد ۸×۸ میلی‌متر رونمایی کرد که ولتاژ نامی ۶۵۰ ولت دارد و برای تبدیل توان در سرورهای هوش مصنوعیِ مگاواتی طراحی شده است.

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/fa/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

با کمک هوش مصنوعی تهیه و ترجمه شده است. منابع اصلی زیر را بررسی کنید.

Renesas تراشه قدرت جدیدی برای مراکز داده هوش مصنوعی معرفی کرد. این قطعه از نیترید گالیوم (GaN) ساخته شده، توان تحمل ولتاژ ۶۵۰ ولت را دارد و در بسته‌بندی ۸×۸ میلی‌متری آن از دو طرف خنک‌کاری می‌شود. این طراحی برای تبدیل توان فشرده در معماری‌های سرور هوش مصنوعی ۸۰۰ ولتی در نظر گرفته شده است. به گفته شرکت، این تراشه برای پردازش‌های هوش مصنوعی در مقیاس مگاوات طراحی شده است.

## حقایق

- ولتاژ نامی ۶۵۰ ولت؛ بسته‌بندی ۸×۸ میلی‌متری با خنک‌کاری دوطرفه
- تاریخ معرفی: ۲۰۲۶-۰۹-۳۰

## چرا مهم است

تراشه‌های GaN با ولتاژ بالاتر می‌توانند منابع تغذیه مراکز داده هوش مصنوعی را کوچک‌تر و کارآمدتر کنند.

## منابع و ارجاع‌ها

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

آخرین به‌روزرسانی: 2026-09-30