# Everspin présente la première MRAM connectée en CXL

> Le fabricant de mémoire a présenté un nouveau module MRAM relié via Compute Express Link, qui ajoute un niveau de mémoire persistante rapide entre la DRAM et la NAND.

Oossa · 2026-09-29 · https://oossa.com/fr/everspin-shows-first-cxl-connected-mram-at-snia-2026-conference

Everspin Technologies a présenté la première mémoire MRAM au monde reliée à un système via Compute Express Link (CXL), lors de la SNIA Developer Conference en septembre 2026. Connectée en CXL, la MRAM se situe entre la DRAM et la mémoire flash NAND, offrant aux processeurs et aux accélérateurs d’IA un accès plus rapide aux données. La démonstration a montré une latence réduite et moins de temps d’inactivité des processeurs pendant les charges de travail liées à l’IA.

## Les faits

- La démonstration a eu lieu à la SNIA Developer Conference 2026, le 29 septembre 2026
- La liaison CXL ajoute un niveau de mémoire persistante entre la DRAM et la NAND

## Pourquoi c'est important

Une couche de mémoire persistante plus rapide peut permettre aux puces d’IA de rester actives plus longtemps, améliorant ainsi les performances globales et la consommation énergétique.

## Sources et références

1. [Everspin Demonstrates World’s First CXL-Connected MRAM at SNIA Developer Conference 2026](http://www.businesswire.com/news/home/20260929225389/en/Everspin-Demonstrates-World%E2%80%99s-First-CXL-Connected-MRAM-at-SNIA-Developer-Conference-2026/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-29

Dernière mise à jour: 2026-09-29