# Renesas lance une puce GaN 650 V pour les centres de données IA

> Renesas a présenté un composant GaN de 8 × 8 mm refroidi des deux côtés, conçu pour supporter 650 V et destiné à la conversion électrique des serveurs IA à l’échelle du mégawatt.

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/fr/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

Créé et traduit avec l’aide de l’IA. Consultez les sources originales ci-dessous.

Renesas a annoncé une nouvelle puce de puissance pour les centres de données dédiés à l’IA. Ce composant en nitrure de gallium (GaN), conçu pour supporter 650 V, est intégré dans un boîtier de 8 mm × 8 mm refroidi des deux côtés. Il est destiné à la conversion électrique haute densité dans les architectures de serveurs IA à 800 V. Selon l’entreprise, la puce vise les charges de travail liées à l’IA à l’échelle du mégawatt.

## Les faits

- Tension nominale de 650 V, boîtier de 8 mm × 8 mm refroidi des deux côtés
- Date de l’annonce : 30 septembre 2026

## Pourquoi c'est important

Les puces GaN à tension plus élevée peuvent rendre les alimentations des centres de données IA plus compactes et plus efficaces.

## Sources et références

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

Dernière mise à jour: 2026-09-30