# Renesas की 650V GaN चिप AI डेटा सेंटर के लिए

> Renesas ने 650V क्षमता वाला, दोनों तरफ से ठंडा होने वाला 8×8 mm GaN डिवाइस पेश किया है। यह मेगावाट-स्तर के AI सर्वरों में बिजली रूपांतरण के लिए बनाया गया है।

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/hi/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

AI की सहायता से तैयार और अनुवादित। नीचे मूल स्रोत देखें।

Renesas ने AI डेटा सेंटर के लिए एक नई पावर चिप की घोषणा की है। यह गैलियम नाइट्राइड (GaN) डिवाइस 650V तक संभाल सकता है और इसके 8 mm × 8 mm पैकेज को दोनों तरफ से ठंडा किया जाता है। इसका डिज़ाइन 800V वाले AI सर्वर आर्किटेक्चर में सघन बिजली रूपांतरण के लिए बनाया गया है। कंपनी का कहना है कि यह चिप मेगावाट-स्तर के AI वर्कलोड को ध्यान में रखकर बनाई गई है।

## तथ्य

- 650V रेटिंग, 8 mm × 8 mm का दोनों तरफ से ठंडा होने वाला पैकेज
- घोषणा की तारीख: 2026-09-30

## यह क्यों मायने रखता है

ज़्यादा वोल्टेज वाली GaN चिपें AI डेटा सेंटर की बिजली आपूर्ति को छोटा और अधिक कुशल बना सकती हैं।

## स्रोत और संदर्भ

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

अंतिम अपडेट: 2026-09-30