# Renesas lancia un chip GaN da 650 V per i data center AI

> Renesas ha presentato un dispositivo GaN da 8 × 8 mm, raffreddato su entrambi i lati e con tensione nominale di 650 V, pensato per la conversione di potenza nei server AI su scala megawatt.

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/it/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

Prodotto e tradotto con l’aiuto dell’IA. Consulta le fonti originali qui sotto.

Renesas ha annunciato un nuovo chip di potenza per i data center AI. Si tratta di un dispositivo in nitruro di gallio (GaN), in grado di gestire 650 V e dotato di raffreddamento su entrambi i lati in un package da 8 mm × 8 mm. Il design è pensato per la conversione di potenza ad alta densità nelle architetture di server AI a 800 V. Secondo l’azienda, il chip è destinato a carichi di lavoro AI su scala megawatt.

## I fatti

- Tensione nominale di 650 V, package da 8 mm × 8 mm raffreddato su entrambi i lati
- Data dell’annuncio: 2026-09-30

## Perché conta

I chip GaN ad alta tensione possono rendere gli alimentatori dei data center AI più compatti ed efficienti.

## Fonti e riferimenti

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

Ultimo aggiornamento: 2026-09-30