# ルネサス、AIデータセンター向け650V GaNチップを発表

> ルネサスは、両面冷却に対応した8×8mmサイズの650V GaNデバイスを発表。メガワット級AIサーバーの電力変換を想定する。

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/ja/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

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ルネサスは、AIデータセンター向けの新しいパワーチップを発表した。窒化ガリウム（GaN）デバイスで、650Vに対応し、8mm×8mmのパッケージを両面から冷却する。800VのAIサーバーアーキテクチャにおける高密度の電力変換を想定した設計だ。同社によると、このチップはメガワット級のAIワークロードをターゲットとしている。

## 事実

- 定格650V、8mm×8mmの両面冷却パッケージ
- 発表日：2026-09-30

## なぜ重要か

高電圧対応のGaNチップは、AIデータセンターの電源を小型化し、効率を高める可能性がある。

## 出典と参考資料

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

最終更新: 2026-09-30