# 르네사스, AI 데이터센터용 650V GaN 칩 출시

> 르네사스가 650V 정격의 양면 냉각 8×8mm GaN 소자를 공개했다. 메가와트급 AI 서버 전력 변환을 겨냥한 제품이다.

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/ko/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

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르네사스가 AI 데이터센터용 신형 전력 칩을 발표했다. 질화갈륨(GaN) 소자로, 650V를 처리할 수 있으며 8mm × 8mm 패키지의 양면을 냉각하는 방식이다. 800V AI 서버 아키텍처에서 고밀도 전력 변환을 구현하기 위한 설계다. 회사는 이 칩이 메가와트급 AI 워크로드를 겨냥한다고 밝혔다.

## 팩트

- 650V 정격, 8mm × 8mm 양면 냉각 패키지
- 발표일: 2026-09-30

## 왜 중요한가

고전압 GaN 칩은 AI 데이터센터 전원 공급 장치를 더 작고 효율적으로 만들 수 있다.

## 출처 및 참고 자료

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

최종 업데이트: 2026-09-30