# Renesas lanceert 650V-GaN-chip voor AI-datacenters

> Renesas introduceerde een dubbelzijdig gekoeld GaN-component van 8 × 8 mm en 650 V, bedoeld voor stroomomzetting in AI-datacenters op megawattschaal.

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/nl/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

Gemaakt en vertaald met AI-ondersteuning. Bekijk de oorspronkelijke bronnen hieronder.

Renesas heeft een nieuwe vermogenschip voor AI-datacenters aangekondigd. Het gaat om een galliumnitridecomponent (GaN) dat 650 V aankan en aan beide zijden wordt gekoeld. De chip zit in een behuizing van 8 × 8 mm. Het ontwerp is bedoeld voor compacte stroomomzetting in AI-serverarchitecturen van 800 V. Volgens het bedrijf is de chip gericht op AI-workloads op megawattschaal.

## De feiten

- Vermogen van 650 V, dubbelzijdig gekoelde behuizing van 8 × 8 mm
- Aankondigingsdatum: 2026-09-30

## Waarom het ertoe doet

GaN-chips met een hogere spanning kunnen voedingen voor AI-datacenters kleiner en efficiënter maken.

## Bronnen en referenties

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

Laatst bijgewerkt: 2026-09-30