# Renesas lança chip GaN de 650 V para data centers de IA

> A Renesas apresentou um dispositivo GaN de 8 × 8 mm, refrigerado pelos dois lados e com tensão nominal de 650 V, voltado à conversão de energia em servidores de IA de escala megawatt.

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/pt/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

Produzido e traduzido com auxílio de IA. Consulte as fontes originais abaixo.

A Renesas anunciou um novo chip de potência para data centers de IA. O dispositivo de nitreto de gálio (GaN) suporta 650 V e usa refrigeração nos dois lados de um encapsulamento de 8 mm × 8 mm. O projeto foi concebido para conversão de energia de alta densidade em arquiteturas de servidores de IA de 800 V. Segundo a empresa, o chip é voltado a cargas de trabalho de IA em escala megawatt.

## Os fatos

- Tensão nominal de 650 V; encapsulamento de 8 mm × 8 mm refrigerado pelos dois lados
- Data do anúncio: 2026-09-30

## Por que importa

Chips GaN de tensão mais alta podem tornar menores e mais eficientes as fontes de alimentação de data centers de IA.

## Fontes e referências

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

Última atualização: 2026-09-30