# Renesas выпустила GaN-чип на 650 В для ИИ-дата-центров

> Renesas представила двусторонне охлаждаемый GaN-прибор размером 8 × 8 мм и напряжением 650 В для преобразования энергии в ИИ-серверах мегаваттного масштаба.

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/ru/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

Создано и переведено с помощью ИИ. Проверьте первоисточники ниже.

Renesas объявила о выпуске нового силового чипа для ИИ-дата-центров. Это устройство на основе нитрида галлия (GaN), рассчитанное на напряжение 650 В. Его корпус размером 8 × 8 мм охлаждается с обеих сторон. Конструкция предназначена для компактных систем преобразования энергии в ИИ-серверах с архитектурой на 800 В. По словам компании, чип рассчитан на ИИ-нагрузки мегаваттного масштаба.

## Факты

- Номинальное напряжение — 650 В, корпус размером 8 × 8 мм с двусторонним охлаждением
- Дата объявления: 2026-09-30

## Почему это важно

GaN-чипы с более высоким рабочим напряжением позволяют сделать блоки питания ИИ-дата-центров компактнее и эффективнее.

## Источники и ссылки

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

Обновлено: 2026-09-30