# Renesas lanserar 650 V GaN-chip för AI-datacenter

> Renesas har presenterat en 8 × 8 mm GaN-komponent med kylning på båda sidor och en märkspänning på 650 V, utvecklad för effektomvandling i AI-servrar på megawattnivå.

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/sv/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

Producerad och översatt med AI-stöd. Kontrollera originalkällorna nedan.

Renesas har presenterat ett nytt kraftchip för AI-datacenter. Det är en komponent i galliumnitrid (GaN) som klarar 650 V och har kylning på båda sidor av kapseln, som mäter 8 × 8 mm. Konstruktionen är avsedd för kompakt effektomvandling i AI-serverarkitekturer på 800 V. Enligt företaget riktar sig chipet till AI-arbetsbelastningar på megawattnivå.

## Fakta

- Märkspänning på 650 V, kapsel på 8 × 8 mm med kylning på båda sidor
- Lanseringsdatum: 2026-09-30

## Varför det spelar roll

GaN-chip med högre spänning kan göra strömförsörjningen i AI-datacenter mindre och effektivare.

## Källor och referenser

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

Senast uppdaterad: 2026-09-30