# Renesas, yapay zekâ veri merkezleri için 650 V GaN çipi tanıttı

> Renesas, megavat ölçeğinde yapay zekâ sunucularında güç dönüşümü için 650 V değerinde, iki taraftan soğutmalı 8×8 mm GaN cihazını tanıttı.

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/tr/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

Yapay zekâ desteğiyle hazırlanıp çevrildi. Aşağıdaki asıl kaynakları kontrol edin.

Renesas, yapay zekâ veri merkezlerine yönelik yeni bir güç çipi duyurdu. Galyum nitrür (GaN) tabanlı cihaz, 650 V’a kadar dayanıyor ve 8 mm × 8 mm’lik paketin her iki tarafından soğutuluyor. Tasarım, 800 V’luk yapay zekâ sunucusu mimarilerinde yoğun güç dönüşümü için geliştirildi. Şirket, çipin megavat ölçeğindeki yapay zekâ iş yüklerini hedeflediğini belirtiyor.

## Gerçekler

- 650 V değerinde, 8 mm × 8 mm boyutlarında ve iki taraftan soğutmalı paket
- Duyuru tarihi: 2026-09-30

## Neden önemli

Daha yüksek gerilimli GaN çipleri, yapay zekâ veri merkezlerindeki güç kaynaklarının daha küçük ve verimli olmasını sağlayabilir.

## Kaynaklar ve referanslar

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

Son güncelleme: 2026-09-30