# Everspin在SNIA 2026展示首款CXL连接MRAM

> 这家存储厂商展示了一款通过Compute Express Link连接的新型MRAM模块，在DRAM和NAND之间增加了一层高速持久化存储。

Oossa · 2026-09-29 · https://oossa.com/zh/everspin-shows-first-cxl-connected-mram-at-snia-2026-conference

Everspin Technologies于2026年9月在SNIA开发者大会上展示了全球首款通过Compute Express Link（CXL）与系统通信的MRAM存储器。CXL连接的MRAM位于DRAM和NAND闪存之间，让处理器和AI加速器能够更快地读取数据。演示显示，在AI工作负载下，系统延迟更低，CPU空闲时间也更少。

## 事实

- 演示于2026年9月29日在SNIA 2026开发者大会上进行
- CXL连接在DRAM和NAND之间增加了一层持久化存储

## 为什么重要

更快的持久化存储层可以让AI芯片保持更长时间的满负荷运行，从而提升整体性能并降低能耗。

## 来源与参考

1. [Everspin Demonstrates World’s First CXL-Connected MRAM at SNIA Developer Conference 2026](http://www.businesswire.com/news/home/20260929225389/en/Everspin-Demonstrates-World%E2%80%99s-First-CXL-Connected-MRAM-at-SNIA-Developer-Conference-2026/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-29

最后更新: 2026-09-29