# 瑞萨推出面向高功率AI数据中心的650V氮化镓芯片

> 瑞萨推出一款650V双面散热氮化镓器件，封装尺寸为8×8毫米，面向兆瓦级AI服务器电源转换。

Oossa · 2026-09-30 · https://oossa.com/zh/renesas-launches-650v-gan-chip-for-high-power-ai-data-centers

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瑞萨宣布推出一款面向AI数据中心的新型功率芯片。这是一款氮化镓（GaN）器件，可承受650V电压，采用8毫米×8毫米封装，并支持双面散热。该设计旨在满足800V AI服务器架构对高密度电源转换的需求。公司表示，这款芯片面向兆瓦级AI工作负载。

## 事实

- 额定电压650V，采用8毫米×8毫米双面散热封装
- 发布日期：2026-09-30

## 为什么重要

更高电压的氮化镓芯片有助于缩小AI数据中心电源的体积并提高效率。

## 来源与参考

1. [Renesas Unveils Industry's First 650V GaN in Dual-Side Cooled 8x8mm Package for Megawatt-Scale AI Data Centers](http://www.businesswire.com/news/home/20260930184285/en/Renesas-Unveils-Industrys-First-650V-GaN-in-Dual-Side-Cooled-8x8mm-Package-for-Megawatt-Scale-AI-Data-Centers/?feedref=JjAwJuNHiystnCoBq_hl-WsGkFyUNMTSNrPsg57HLEqqcp-o_pnudlUwsb5apQ1S4gUE65BTfjH3-pSuqdv0gW3cb3F4oTIgUqCPafFkgu5AneicJQDNboWvodvG82E0) – Business Wire, 2026-09-30

最后更新: 2026-09-30