Renesas ने 650V क्षमता वाला, दोनों तरफ से ठंडा होने वाला 8×8 mm GaN डिवाइस पेश किया है। यह मेगावाट-स्तर के AI सर्वरों में बिजली रूपांतरण के लिए बनाया गया है।
संक्षिप्तOossaOossa द्वारा प्रकाशित: 1 मिनट पढ़ना
Renesas ने AI डेटा सेंटर के लिए एक नई पावर चिप की घोषणा की है। यह गैलियम नाइट्राइड (GaN) डिवाइस 650V तक संभाल सकता है और इसके 8 mm × 8 mm पैकेज को दोनों तरफ से ठंडा किया जाता है। इसका डिज़ाइन 800V वाले AI सर्वर आर्किटेक्चर में सघन बिजली रूपांतरण के लिए बनाया गया है। कंपनी का कहना है कि यह चिप मेगावाट-स्तर के AI वर्कलोड को ध्यान में रखकर बनाई गई है।
ज़्यादा वोल्टेज वाली GaN चिपें AI डेटा सेंटर की बिजली आपूर्ति को छोटा और अधिक कुशल बना सकती हैं।
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सैटेलाइट तस्वीरों में अमेरिका के AI डेटा सेंटरों का विस्तार दिखता है, लेकिन चिप पैकेजिंग की कमी 2027 तक नई क्षमता को 20 GW के शुरुआती दायरे तक सीमित कर सकती है।
Oossa · न्यूज़लेटर
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