Oossa

Renesas lanserar 650 V GaN-chip för AI-datacenter

Renesas har presenterat en 8 × 8 mm GaN-komponent med kylning på båda sidor och en märkspänning på 650 V, utvecklad för effektomvandling i AI-servrar på megawattnivå.

NotisOossaPublicerad av Oossa: 1 min läsning

Renesas har presenterat ett nytt kraftchip för AI-datacenter. Det är en komponent i galliumnitrid (GaN) som klarar 650 V och har kylning på båda sidor av kapseln, som mäter 8 × 8 mm. Konstruktionen är avsedd för kompakt effektomvandling i AI-serverarkitekturer på 800 V. Enligt företaget riktar sig chipet till AI-arbetsbelastningar på megawattnivå.

Varför det spelar roll

GaN-chip med högre spänning kan göra strömförsörjningen i AI-datacenter mindre och effektivare.

Var den här artikeln användbar?
Dela

Läs vidare

Oossa · Nyhetsbrev

Veckans AI, förklarad

Varje måndag: nyheterna som är värda att känna till, på enkel svenska. Gratis, ingen spam.