르네사스가 AI 데이터센터용 신형 전력 칩을 발표했다. 질화갈륨(GaN) 소자로, 650V를 처리할 수 있으며 8mm × 8mm 패키지의 양면을 냉각하는 방식이다. 800V AI 서버 아키텍처에서 고밀도 전력 변환을 구현하기 위한 설계다. 회사는 이 칩이 메가와트급 AI 워크로드를 겨냥한다고 밝혔다.
왜 중요한가
고전압 GaN 칩은 AI 데이터센터 전원 공급 장치를 더 작고 효율적으로 만들 수 있다.
르네사스, AI 데이터센터용 650V GaN 칩 출시
르네사스가 650V 정격의 양면 냉각 8×8mm GaN 소자를 공개했다. 메가와트급 AI 서버 전력 변환을 겨냥한 제품이다.
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