Renesas объявила о выпуске нового силового чипа для ИИ-дата-центров. Это устройство на основе нитрида галлия (GaN), рассчитанное на напряжение 650 В. Его корпус размером 8 × 8 мм охлаждается с обеих сторон. Конструкция предназначена для компактных систем преобразования энергии в ИИ-серверах с архитектурой на 800 В. По словам компании, чип рассчитан на ИИ-нагрузки мегаваттного масштаба.
Почему это важно
GaN-чипы с более высоким рабочим напряжением позволяют сделать блоки питания ИИ-дата-центров компактнее и эффективнее.
