瑞萨推出面向高功率AI数据中心的650V氮化镓芯片

瑞萨宣布推出一款面向AI数据中心的新型功率芯片。这是一款氮化镓（GaN）器件，可承受650V电压，采用8毫米×8毫米封装，并支持双面散热。该设计旨在满足800V AI服务器架构对高密度电源转换的需求。公司表示，这款芯片面向兆瓦级AI工作负载。