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Renesas lança chip GaN de 650 V para data centers de IA

A Renesas apresentou um dispositivo GaN de 8 × 8 mm, refrigerado pelos dois lados e com tensão nominal de 650 V, voltado à conversão de energia em servidores de IA de escala megawatt.

NotaOossaPublicado pelo Oossa: 1 min de leitura

A Renesas anunciou um novo chip de potência para data centers de IA. O dispositivo de nitreto de gálio (GaN) suporta 650 V e usa refrigeração nos dois lados de um encapsulamento de 8 mm × 8 mm. O projeto foi concebido para conversão de energia de alta densidade em arquiteturas de servidores de IA de 800 V. Segundo a empresa, o chip é voltado a cargas de trabalho de IA em escala megawatt.

Por que importa

Chips GaN de tensão mais alta podem tornar menores e mais eficientes as fontes de alimentação de data centers de IA.

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