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ルネサス、AIデータセンター向け650V GaNチップを発表

ルネサスは、両面冷却に対応した8×8mmサイズの650V GaNデバイスを発表。メガワット級AIサーバーの電力変換を想定する。

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ルネサスは、AIデータセンター向けの新しいパワーチップを発表した。窒化ガリウム（GaN）デバイスで、650Vに対応し、8mm×8mmのパッケージを両面から冷却する。800VのAIサーバーアーキテクチャにおける高密度の電力変換を想定した設計だ。同社によると、このチップはメガワット級のAIワークロードをターゲットとしている。

なぜ重要か

高電圧対応のGaNチップは、AIデータセンターの電源を小型化し、効率を高める可能性がある。

出典と参考資料

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  1. Business Wire出典の公開日: 原典を読む
発行者: OLY Europe LTD (VAT BG207334983), General Tsimerman 56, 9002 Varna, BG誤りを報告

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